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カーフレス・ウェーハ処理

半導体製造の「カーフレス・ウェーハ処理」は、レーザーを使用して、ダメージと汚染を最小限に抑えながらシリコン・ウェーハを切り込む技法を説明する用語です。このプロセスでは切断後の追加的な材料除去のステップが必要なく、ソーイングなどの従来型の手法よりも安価で効率的です。しかし、この手法は、二酸化炭素など他の要素でできたシリコン・ウェーハよりも純度が高い、ガリウムヒ素 (GaAs) などの特定の材料の場合にのみ機能します。

カーフレス・ウェーハ処理に関して中小企業が知っておくべきこと

中小企業の場合、カーフレス・ウェーハ処理の活用によって、従来の手法よりも廃棄物を抑えることができるため、時間とコストを節約することができます。また、このプロセスの精度は高いため、廃棄の必要がある不具合製品が出来上がる可能性が低くなります。カーフレス・ウェーハ処理は、比較的新しいテクノロジーのため、材料の利用において何らかの制限が存在する場合があります。それでも、このプロセスが成熟するにつれて、利用する企業は増えることが見込まれます。

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